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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.806508
10
¥3.591047
100
¥3.387781
500
¥3.196014
1000
¥3.01511
Nexperia USA Inc. BUK7E4R6-60E,127
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- 对比
BUK7E4R6-60E,127
1729-BUK7E4R6-60E,127
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
大陆
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Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3 Tab) I2PAK Rail
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BUK7E4R6-60E,127详情
Nexperia USA Inc. BUK7E4R6-60E,127重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
表面安装
NO
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
234W Tc
Turn Off Delay Time
50 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
已出版
2012
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
23 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.6m Ω @ 25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6230pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
82nC @ 10V
上升时间
39ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
40 ns
连续放电电流(ID)
100A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
60V
漏极-源极导通最大电阻
0.0046Ohm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BUK7E4R6-60E,127拓展信息
Nexperia USA Inc.
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