Nexperia USA Inc. BUK7K6R2-40EX
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BUK7K6R2-40EX
1729-BUK7K6R2-40EX
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-1205, 8-LFPAK56
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BUK7K6R2 Series 40 V 5.8 mOhm Dual N-Channel Standard MOSFET - LFPAK-56D
--最小包装量--
BUK7K6R2-40EX详情
Nexperia USA Inc. BUK7K6R2-40EX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-1205, 8-LFPAK56
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
21 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
最大功率耗散
68W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
8
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-G6
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
9.5 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.8m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2210pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
32.3nC @ 10V
上升时间
16ns
漏源电压 (Vdss)
40V
下降时间(典型值)
17 ns
连续放电电流(ID)
40A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
40V
雪崩能量等级(Eas)
157 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BUK7K6R2-40EX拓展信息
Nexperia USA Inc.
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