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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.801484
10
¥8.303287
100
¥7.83329
500
¥7.389896
1000
¥6.9716
Nexperia USA Inc. BUK7K6R8-40E,115
- 收藏
- 对比
BUK7K6R8-40E,115
1729-BUK7K6R8-40E,115
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-1205, 8-LFPAK56
大陆
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MOSFET Transistor, Dual N Channel, 40 A, 40 V, 0.0058 ohm, 10 V, 3 V RoHS Compliant: Yes
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BUK7K6R8-40E,115详情
Nexperia USA Inc. BUK7K6R8-40E,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-1205, 8-LFPAK56
引脚数
8
供应商器件包装
LFPAK56D
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
40A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
19.4 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
64W
通道数量
2
元素配置
Dual
功率耗散
64W
接通延迟时间
8.9 ns
功率 - 最大
64W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.8mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1947pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
28.9nC @ 10V
上升时间
15.4ns
漏源电压 (Vdss)
40V
下降时间(典型值)
16.5 ns
连续放电电流(ID)
40A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
40V
漏源击穿电压
40V
输入电容
1.947nF
场效应管特性
Standard
漏源电阻
5.8mOhm
最大rds
6.8 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BUK7K6R8-40E,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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