注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.965075
10
¥2.797244
100
¥2.638907
500
¥2.489537
1000
¥2.34862
Nexperia USA Inc. BUK7Y13-40B,115
- 收藏
- 对比
BUK7Y13-40B,115
1729-BUK7Y13-40B,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-100, SOT-669
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 40V 58A LFPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BUK7Y13-40B,115详情
Nexperia USA Inc. BUK7Y13-40B,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-100, SOT-669
表面安装
YES
引脚数
4
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
58A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
85W Tc
Turn Off Delay Time
35 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 1mA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
85W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
13m Ω @ 25A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1311pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
19nC @ 10V
上升时间
25ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
27 ns
连续放电电流(ID)
58A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
40V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
55A
漏源击穿电压
40V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
220A
高度
6.35mm
长度
6.35mm
宽度
6.35mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BUK7Y13-40B,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.








哦! 它是空的。