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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥21.983196
10
¥20.738865
100
¥19.564967
500
¥18.457513
1000
¥17.412751
Nexperia USA Inc. BUK7Y14-80EX
- 收藏
- 对比
BUK7Y14-80EX
1729-BUK7Y14-80EX
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-100, SOT-669
大陆
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MOSFET Transistor, N Channel, 65 A, 80 V, 0.0092 ohm, 10 V, 3 V RoHS Compliant: Yes
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BUK7Y14-80EX详情
Nexperia USA Inc. BUK7Y14-80EX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-100, SOT-669
表面安装
YES
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
65A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
147W Tc
Turn Off Delay Time
33.3 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchMOS™
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
附加功能
雪崩 额定
终端形式
鸥翼
引脚数量
4
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
147W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
9.1 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
14m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3155pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
44.8nC @ 10V
上升时间
13.2ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
17.9 ns
连续放电电流(ID)
65A
JEDEC-95代码
MO-235
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
80V
漏源击穿电压
80V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
259A
雪崩能量等级(Eas)
76.8 mJ
最大结点温度(Tj)
175°C
高度
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BUK7Y14-80EX拓展信息
Nexperia USA Inc.
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