Nexperia USA Inc. BUK7Y4R8-60EX

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

SC-100, SOT-669

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

238W Tc

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

57 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

238W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.8m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5520pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

73.1nC @ 10V

上升时间

27ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

31 ns

连续放电电流(ID)

100A

JEDEC-95代码

MO-235

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

60V

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

595A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅