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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥11.470108
10
¥10.820853
100
¥10.208356
500
¥9.630522
1000
¥9.085399
Nexperia USA Inc. BUK9226-75A,118
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- 对比
BUK9226-75A,118
1729-BUK9226-75A,118
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
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Single N-Channel 75 V 54.6 mOhm 114 W Silicon Surface Mount Mosfet - TO-252-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BUK9226-75A,118详情
Nexperia USA Inc. BUK9226-75A,118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
引脚数
3
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
45A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
114W Tc
Turn Off Delay Time
142 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2V @ 1mA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
已出版
2011
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
114W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
24 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
24.6m Ω @ 25A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3120pF @ 25V
上升时间
141ns
Vgs(最大值)
±10V
下降时间(典型值)
108 ns
连续放电电流(ID)
45A
阈值电压
1.5V
JEDEC-95代码
TO-252AA
栅极至源极电压(Vgs)
10V
最大双电源电压
75V
漏极-源极导通最大电阻
0.029Ohm
漏源击穿电压
75V
栅源电压
1.5 V
高度
6.35mm
长度
6.35mm
宽度
6.35mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BUK9226-75A,118拓展信息
Nexperia USA Inc.
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