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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥19.036151
10
¥17.958633
100
¥16.942108
500
¥15.983123
1000
¥15.078418
Nexperia USA Inc. BUK9611-80E,118
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- 对比
BUK9611-80E,118
1729-BUK9611-80E,118
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
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Trans MOSFET N-CH 80V 75A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BUK9611-80E,118详情
Nexperia USA Inc. BUK9611-80E,118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
表面安装
YES
引脚数
3
材料
Brass, Metal
质量
3.949996g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
75A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
182W Tc
Turn Off Delay Time
58.4 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.1V @ 1mA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
已出版
2012
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
Crimp
端子表面处理
Tin (Sn)
颜色
Natural
附加功能
雪崩 额定
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PSSO-G2
镀层
Lead, Tin
元素配置
Single
线规(最大值)
18 AWG
线规(最小值)
16 AWG
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
182W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
29.6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
10m Ω @ 20A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7149pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
48.8nC @ 5V
上升时间
63.9ns
Vgs(最大值)
±10V
下降时间(典型值)
53.2 ns
连续放电电流(ID)
75A
栅极至源极电压(Vgs)
15V
最大双电源电压
80V
直径
12.7mm
高度
15.875mm
达到SVHC
not_compliant
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BUK9611-80E,118拓展信息
Nexperia USA Inc.
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