Nexperia USA Inc. BUK9K29-100E,115
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BUK9K29-100E,115
1729-BUK9K29-100E,115
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-1205, 8-LFPAK56
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BUK9K29 Series 100 V 30 A Dual N-Channel TrenchMOS Logic Level FET - LFPAK-56D-8
--最小包装量--
BUK9K29-100E,115详情
Nexperia USA Inc. BUK9K29-100E,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-1205, 8-LFPAK56
表面安装
YES
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
67.3 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
已出版
2014
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
雪崩 额定
最大功率耗散
68W
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
8
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-G6
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
68W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
6.1 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
27m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3491pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
54nC @ 10V
上升时间
6.4ns
下降时间(典型值)
35.1 ns
连续放电电流(ID)
30A
栅极至源极电压(Vgs)
10V
最大双电源电压
100V
漏源击穿电压
100V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BUK9K29-100E,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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