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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥21.548121
10
¥20.328417
100
¥19.17775
500
¥18.09222
1000
¥17.068129
Nexperia USA Inc. BUK9Y09-40B,115
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- 对比
BUK9Y09-40B,115
1729-BUK9Y09-40B,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-100, SOT-669
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MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BUK9Y09-40B,115详情
Nexperia USA Inc. BUK9Y09-40B,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
表面安装
YES
包装/外壳
SC-100, SOT-669
安装类型
表面贴装
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Turn Off Delay Time
97 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max)
105.3W Tc
Number of Elements
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
75A Tc
已出版
2010
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~175°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
105.3W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
29 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8m Ω @ 25A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2866pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
30nC @ 5V
上升时间
92ns
Vgs(最大值)
±15V
下降时间(典型值)
83 ns
连续放电电流(ID)
75A
JEDEC-95代码
MO-235
栅极至源极电压(Vgs)
15V
最大双电源电压
40V
漏极-源极导通最大电阻
0.01Ohm
漏源击穿电压
40V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
300A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
BUK9Y09-40B,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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