Nexperia USA Inc. BUK9Y15-60E,115
- 收藏
- 对比
BUK9Y15-60E,115
1729-BUK9Y15-60E,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-100, SOT-669
大陆
立即发货

BUK9Y15-60E - N-channel 60 V, 15 mO logic level MOSFET in LFPAK56
1最小包装量--
BUK9Y15-60E,115详情
Nexperia USA Inc. BUK9Y15-60E,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
表面安装
YES
包装/外壳
SC-100, SOT-669
安装类型
表面贴装
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Power Dissipation (Max)
95W Tc
Turn Off Delay Time
25.2 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.1V @ 1mA
Number of Elements
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
53A Tc
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
已出版
2014
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~175°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
雪崩 额定
终端形式
鸥翼
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
95W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
11.4 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
13m Ω @ 15A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2603pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17.2nC @ 5V
上升时间
17.3ns
Vgs(最大值)
±10V
下降时间(典型值)
15.3 ns
连续放电电流(ID)
53A
JEDEC-95代码
MO-235
栅极至源极电压(Vgs)
10V
最大双电源电压
60V
漏源击穿电压
60V
达到SVHC
not_compliant
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BUK9Y15-60E,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.









哦! 它是空的。