Nexperia USA Inc. BUK9Y25-60E,115

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-100, SOT-669

表面安装

YES

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

34A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Power Dissipation (Max)

65W Tc

Turn Off Delay Time

14.7 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

已出版

2013

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

65W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

21.5m Ω @ 10A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12nC @ 5V

上升时间

12.1ns

Vgs（最大值）

±10V

下降时间（典型值）

10.4 ns

连续放电电流(ID)

34A

JEDEC-95代码

MO-235

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大双电源电压

60V

漏极-源极导通最大电阻

0.025Ohm

漏源击穿电压

60V

雪崩能量等级（Eas）

23.6 mJ

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant