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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥13.390832
10
¥12.632857
100
¥11.917792
500
¥11.243199
1000
¥10.606795
Nexperia USA Inc. BUK9Y3R0-40E,115
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- 对比
BUK9Y3R0-40E,115
1729-BUK9Y3R0-40E,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-100, SOT-669
大陆
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NEXPERIA - BUK9Y3R0-40E,115 - Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 5-Pin(4 Tab) LFPAK T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BUK9Y3R0-40E,115详情
Nexperia USA Inc. BUK9Y3R0-40E,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-100, SOT-669
表面安装
YES
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
194W Tc
Turn Off Delay Time
53 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.1V @ 1mA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
已出版
2014
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
24 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.5m Ω @ 25A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5962pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
35.5nC @ 5V
上升时间
44ns
Vgs(最大值)
±10V
下降时间(典型值)
34 ns
连续放电电流(ID)
100A
JEDEC-95代码
MO-235
栅极至源极电压(Vgs)
10V
最大双电源电压
40V
漏极-源极导通最大电阻
0.003Ohm
漏源击穿电压
40V
达到SVHC
not_compliant
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BUK9Y3R0-40E,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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