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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.165712
10
¥2.043121
100
¥1.927475
500
¥1.818375
1000
¥1.71545
Nexperia USA Inc. PBSS2515VS,115
- 收藏
- 对比
PBSS2515VS,115
1729-PBSS2515VS,115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
SOT-563, SOT-666
大陆
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NEXPERIA - PBSS2515VS,115 - TRANSISTOR, NPN, SOT-666
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PBSS2515VS,115详情
Nexperia USA Inc. PBSS2515VS,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
15V
Number of Elements
2
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
200mW
终端形式
FLAT
频率
420MHz
基本部件号
PBSS2515
引脚数量
6
极性
NPN
元素配置
Dual
功率耗散
200mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
420MHz
晶体管类型
2 NPN (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
15V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
150 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 50mA, 500mA
转换频率
420MHz
最大击穿电压
15V
集电极基极电压(VCBO)
15V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
高度
6.35mm
长度
6.35mm
宽度
6.35mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PBSS2515VS,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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Nexperia USA Inc.
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