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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.439557
10
¥8.905242
100
¥8.401175
500
¥7.925637
1000
¥7.477017
Nexperia USA Inc. PBSS4160PANPSX
- 收藏
- 对比
PBSS4160PANPSX
1729-PBSS4160PANPSX
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
6-UDFN Exposed Pad
大陆
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PBSS4160PANPS - 60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PBSS4160PANPSX详情
Nexperia USA Inc. PBSS4160PANPSX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Number of Elements
2
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2015
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
最大功率耗散
370mW
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
S-PDSO-N6
极性
NPN, PNP
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
370mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
NPN, PNP
集电极发射器电压(VCEO)
120mV
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
150 @ 500mA 2V / 120 @ 500mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
120mV @ 50mA, 500mA / 340mV @ 100mA, 1A
转换频率
175MHz
最大击穿电压
60V
频率转换
175MHz 125MHz
VCEsat-最大值
0.24 V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PBSS4160PANPSX拓展信息
Nexperia USA Inc.
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