PBSS4160PANPSX
PBSS4160PANPSX

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Nexperia USA Inc. PBSS4160PANPSX

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型号

PBSS4160PANPSX

utmel 编号

1729-PBSS4160PANPSX

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

封装

6-UDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

PBSS4160PANPS - 60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor

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PBSS4160PANPSX
PBSS4160PANPSX Nexperia USA Inc. PBSS4160PANPS - 60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor

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PBSS4160PANPSX详情

Nexperia USA Inc. PBSS4160PANPSX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-UDFN Exposed Pad

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    60V

  • Number of Elements

    2

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 已出版

    2015

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • 最大功率耗散

    370mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 参考标准

    AEC-Q101; IEC-60134

  • JESD-30代码

    S-PDSO-N6

  • 极性

    NPN, PNP

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 功率 - 最大

    370mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 晶体管类型

    NPN, PNP

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    120mV

  • 最大集电极电流

    1A

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    150 @ 500mA 2V / 120 @ 500mA 2V

  • 最大集极截止电流

    100nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    120mV @ 50mA, 500mA / 340mV @ 100mA, 1A

  • 转换频率

    175MHz

  • 最大击穿电压

    60V

  • 频率转换

    175MHz 125MHz

  • VCEsat-最大值

    0.24 V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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PBSS4160PANPSX拓展信息

BCM847BS,115
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Nexperia USA Inc.

BCM847BV,115
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BC817DS,115
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BC846BS,115
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BC847QASZ
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BCM857DS,115
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