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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.512878
10
¥7.087619
100
¥6.686436
500
¥6.307953
1000
¥5.950905
Nexperia USA Inc. PBSS5130PAP,115
- 收藏
- 对比
PBSS5130PAP,115
1729-PBSS5130PAP,115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
6-UDFN Exposed Pad
大陆
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PBSS5130PAP - 30 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PBSS5130PAP,115详情
Nexperia USA Inc. PBSS5130PAP,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
引脚数
6
Collector-Emitter Saturation Voltage
-85mV
Current-Collector (Ic) (Max)
1A
hFEMin
250
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
1.45W
基本部件号
PBSS5130
引脚数量
6
极性
PNP
元素配置
Dual
功率 - 最大
510mW
增益带宽积
125MHz
晶体管类型
2 PNP (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
-30V
最大集电极电流
-2A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
170 @ 500mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
280mV @ 50mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
30V
集电极基极电压(VCBO)
-30V
发射极基极电压 (VEBO)
-7V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PBSS5130PAP,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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