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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.416117
10
¥4.166145
100
¥3.930327
500
¥3.707855
1000
¥3.497979
Nexperia USA Inc. PBSS5160PAPSX
- 收藏
- 对比
PBSS5160PAPSX
1729-PBSS5160PAPSX
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
6-UDFN Exposed Pad
大陆
立即发货

IC TRANS PNP/PNP 60V SOT1118
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PBSS5160PAPSX详情
Nexperia USA Inc. PBSS5160PAPSX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Number of Elements
2
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2014
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
最大功率耗散
370mW
终端形式
无铅
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
S-PDSO-N6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
370mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
2 PNP (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
550mV
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 500mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
550mV @ 50mA, 1A
转换频率
125MHz
最大击穿电压
60V
频率转换
125MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PBSS5160PAPSX拓展信息
Nexperia USA Inc.
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