Nexperia USA Inc. PBSS5230PAP,115
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PBSS5230PAP,115
1729-PBSS5230PAP,115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
6-UDFN Exposed Pad
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TRANS 2PNP 30V 2A 6HUSON
1最小包装量--
PBSS5230PAP,115详情
Nexperia USA Inc. PBSS5230PAP,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
引脚数
6
Collector-Emitter Saturation Voltage
-75mV
Current-Collector (Ic) (Max)
2A
Number of Elements
2
hFEMin
260
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
1.45W
频率
95MHz
引脚数量
6
极性
PNP
元素配置
Dual
功率耗散
200mW
功率 - 最大
510mW
增益带宽积
95MHz
晶体管类型
2 PNP (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
-3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
160 @ 1A 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
420mv @ 100mA, 2A
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
-7V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PBSS5230PAP,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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