Nexperia USA Inc. PEMD48,115

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

引脚数

6

质量

4.535924g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

150mV

Number of Elements

2

hFEMin

80

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

最大功率耗散

300mW

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

P*MD48

引脚数量

6

极性

NPN, PNP

元素配置

Dual

功率耗散

300mW

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 5mA 5V / 100 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

1μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

150mV @ 500μA, 10mA / 100mV @ 250μA, 5mA

转换频率

230MHz

最大击穿电压

50V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

电阻基(R1)

4.7k Ω, 22k Ω

电阻-发射极基极(R2)

47k Ω

高度

600μm

长度

1.7mm

宽度

1.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant