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1

￥2.705999
10

￥2.552831
100

￥2.408326
500

￥2.272007
1000

￥2.143407

Nexperia USA Inc. PEMX1,115

Name: PEMX1,115
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1729-PEMX1,115
Price: 2.71 USD
Availability: InStock
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对比

型号

PEMX1,115

品牌

Nexperia USA Inc.

utmel 编号

1729-PEMX1,115

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

PEMX1 Series 40 V 100 mA 300 mW NPN General Purpose Double Transistor - SOT-666

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PEMX1,115 Nexperia USA Inc. PEMX1 Series 40 V 100 mA 300 mW NPN General Purpose Double Transistor - SOT-666

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PEMX1,115详情

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Nexperia USA Inc. PEMX1,115重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

4 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SOT-563, SOT-666
引脚数

6
质量

4.535924g
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V
Collector-Emitter Saturation Voltage

200mV
Number of Elements

2
hFEMin

120
操作温度

150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2009
JESD-609代码

e3
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

6
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
最大功率耗散

200mW
终端形式

FLAT
频率

100MHz
基本部件号

P*MX1
引脚数量

6
极性

NPN
元素配置

Dual
功率耗散

200mW
功率 - 最大

300mW
晶体管应用

SWITCHING
增益带宽积

100MHz
晶体管类型

2 NPN (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)

40V
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 1mA 6V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

200mV @ 5mA, 50mA
转换频率

100MHz
最大击穿电压

40V
集电极基极电压(VCBO)

50V
发射极基极电压 (VEBO)

5V
高度

600μm
长度

1.7mm
宽度

1.3mm
达到SVHC

无SVHC
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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