Nexperia USA Inc. PHB32N06LT,118

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

34A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

97W Tc

Turn Off Delay Time

45 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

2009

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

电压

60V

元素配置

Single

电流

29A

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

97W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

37m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1280pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 5V

上升时间

120ns

Vgs（最大值）

±15V

下降时间（典型值）

55 ns

连续放电电流(ID)

34A

栅极至源极电压(Vgs)

15V

最大双电源电压

60V

漏源击穿电压

60V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅