Nexperia USA Inc. PHKD13N03LT,118

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

23 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

2011

JESD-609代码

e4

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

最大功率耗散

3.57W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.57W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

20m Ω @ 8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

752pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10.7nC @ 5V

上升时间

7ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

11 ns

连续放电电流(ID)

10.4A

JEDEC-95代码

MS-012AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.02Ohm

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

符合RoHS标准