Nexperia USA Inc. PHP79NQ08LT,127

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

73A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

157W Tc

Turn Off Delay Time

101 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

TrenchMOS™

已出版

2010

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.75

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

157W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

30 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

16m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3026pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 5V

上升时间

102ns

Vgs（最大值）

±15V

下降时间（典型值）

57 ns

连续放电电流(ID)

73A

栅极至源极电压(Vgs)

15V

最大双电源电压

75V

漏极-源极导通最大电阻

0.018Ohm

漏源击穿电压

75V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240A

雪崩能量等级（Eas）

120 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant