Nexperia USA Inc. PMDT670UPE,115

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

80 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

330mW

终端形式

FLAT

引脚数量

6

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

390mW

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

850m Ω @ 400mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

87pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.14nC @ 4.5V

上升时间

30ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

72 ns

连续放电电流(ID)

550mA

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大双电源电压

-20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.55A

漏极-源极导通最大电阻

0.85Ohm

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅