Nexperia USA Inc. PMDXB550UNEZ

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-XFDFN Exposed Pad

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2015

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

最大功率耗散

285mW

终端形式

无铅

引脚数量

6

参考标准

IEC-60134

JESD-30代码

R-PDSO-N6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

功率 - 最大

285mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

670m Ω @ 590mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

950mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

30.3pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.05nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

连续放电电流(ID)

590mA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.59A

漏极-源极导通最大电阻

0.9Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant