Nexperia USA Inc. PMGD780SN,115

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

2010

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.75

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

410mW

功率 - 最大

410mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

920m Ω @ 300mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

23pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.05nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

连续放电电流(ID)

490mA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.49A

漏极-源极导通最大电阻

0.92Ohm

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant