Nexperia USA Inc. PML260SN,118

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-VDFN Exposed Pad

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

50W Tc

Turn Off Delay Time

19 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

2006

JESD-609代码

e4

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

镍钯金

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

50W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

294m Ω @ 2.6A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

657pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13.3nC @ 10V

上升时间

11ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

7 ns

连续放电电流(ID)

8.8A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

200V

漏极-源极导通最大电阻

0.294Ohm

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

15A

雪崩能量等级（Eas）

22 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅