Nexperia USA Inc. PMV27UPER
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PMV27UPER
1729-PMV27UPER
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET 20V P-channel Trench MOSFET
--最小包装量--
PMV27UPER详情
Nexperia USA Inc. PMV27UPER重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
490mW Ta 4.15W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
950mV @ 250μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
电阻
27mOhm
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
32m Ω @ 4.5A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1820pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22.1nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
连续放电电流(ID)
4.5A
JEDEC-95代码
TO-236AB
DS 击穿电压-最小值
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMV27UPER拓展信息
Nexperia USA Inc.
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