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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.329152
10
¥1.253917
100
¥1.182941
500
¥1.115981
1000
¥1.052813
Nexperia USA Inc. PMV50ENEAR
- 收藏
- 对比
PMV50ENEAR
1729-PMV50ENEAR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET PMV50ENEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMV50ENEAR详情
Nexperia USA Inc. PMV50ENEAR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.9A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
510mW Ta 3.9W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2016
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
43m Ω @ 3.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
276pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
3.9A
JEDEC-95代码
TO-236AB
漏极-源极导通最大电阻
0.043Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMV50ENEAR拓展信息
Nexperia USA Inc.
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