PMV65XP,215
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Nexperia USA Inc. PMV65XP,215

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型号

PMV65XP,215

utmel 编号

1729-PMV65XP,215

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23

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PMV65XP,215
PMV65XP,215 Nexperia USA Inc. MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23

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PMV65XP,215详情

Nexperia USA Inc. PMV65XP,215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    2.8A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    1.8V 4.5V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    480mW Ta

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2011

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 附加功能

    低阈值

  • HTS代码

    8541.29.00.75

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 引脚数量

    3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    1.92W

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    74m Ω @ 2.8A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    900mV @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    744pF @ 20V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    7.7nC @ 4.5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • Vgs(最大值)

    ±12V

  • 连续放电电流(ID)

    -3.9A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.076Ohm

  • DS 击穿电压-最小值

    20V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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PMV65XP,215拓展信息

BUK98150-55A/CUF
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Nexperia USA Inc.

NX3008NBKW,115
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BSH205G2R
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PMV40UN2R
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PSMN075-100MSEX
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BSN20BKR
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PMV30UN2R
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PMV250EPEAR
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NX3020NAKW,115
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Nexperia USA Inc.

PSMN3R9-60PSQ
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