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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.673454
10
¥0.635334
100
¥0.599372
500
¥0.565445
1000
¥0.533439
Nexperia USA Inc. PMV75UP,215
- 收藏
- 对比
PMV75UP,215
1729-PMV75UP,215
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
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MOSFET P-CH 20V 2.5A
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMV75UP,215详情
Nexperia USA Inc. PMV75UP,215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
900mV @ 250μA
Turn Off Delay Time
120 ns
Power Dissipation (Max)
490mW Ta 5W Tc
Number of Elements
1
已出版
2014
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
102m Ω @ 2.5A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
550pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.5nC @ 4.5V
上升时间
14ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
50 ns
连续放电电流(ID)
2.5A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏极-源极导通最大电阻
0.102Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMV75UP,215拓展信息
Nexperia USA Inc.
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