Nexperia USA Inc. PMXB360ENEAZ

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XDFN Exposed Pad

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.1A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

400mW Ta 6.25W Tc

Turn Off Delay Time

9 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.7V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

DUAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

2 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

450m Ω @ 1.1A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

130pF @ 40V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.5nC @ 10V

上升时间

3.5ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

3 ns

连续放电电流(ID)

1.1A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

80V

漏极-源极导通最大电阻

0.45Ohm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant