Nexperia USA Inc. PMXB65ENEZ

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XDFN Exposed Pad

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

400mW Ta 8.33W Tc

Turn Off Delay Time

11 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2016

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子位置

DUAL

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-N2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

400mW

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

3 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

67m Ω @ 3.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

295pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11nC @ 10V

上升时间

12ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

3 ns

连续放电电流(ID)

3.2A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.067Ohm

漏源击穿电压

30V

最大结点温度（Tj）

150°C

环境温度范围高

150°C

高度

400μm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant