Nexperia USA Inc. PMZ1000UN,315

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-101, SOT-883

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

480mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

350mW Ta

Turn Off Delay Time

18 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

950mV @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

BOTTOM

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

350mW

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

4 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1 Ω @ 200mA, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

43pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.89nC @ 4.5V

上升时间

7.5ns

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

4.5 ns

连续放电电流(ID)

480mA

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大双电源电压

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.48A

漏极-源极导通最大电阻

1Ohm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant