Nexperia USA Inc. PSMN6R3-120PS

工厂交货时间

12 Weeks

表面安装

NO

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

405W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

70A Tc

Turn Off Delay Time

142.1 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

已出版

2013

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

405W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

42.1 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.7m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

11384pF @ 60V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

207.1nC @ 10V

上升时间

58.2ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

67.7 ns

连续放电电流(ID)

70A

阈值电压

3V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

120V

漏极-源极导通最大电阻

0.0067Ohm

漏源击穿电压

120V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

280A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

not_compliant