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1

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10

￥6.799376
100

￥6.414508
500

￥6.051421
1000

￥5.708891

ON Semiconductor 2SC5415AF-TD-E

Name: 2SC5415AF-TD-E
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-2SC5415AF-TD-E
Price: 7.21 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

2SC5415AF-TD-E

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-2SC5415AF-TD-E

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 射频

封装

TO-243AA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 800mW 4-Pin(3 Tab) SOT-89 T/R

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2SC5415AF-TD-E ON Semiconductor Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 800mW 4-Pin(3 Tab) SOT-89 T/R

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2SC5415AF-TD-E详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor 2SC5415AF-TD-E重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间

4 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-243AA
引脚数

3
Collector-Emitter Breakdown Voltage

12V
hFEMin

70
操作温度

150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2012
JESD-609代码

e6
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最大功率耗散

800mW
引脚数量

3
功率 - 最大

800mW
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

12V
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

90 @ 30mA 5V
增益

9dB
频率转换

6.7GHz
发射极基极电压 (VEBO)

2V
噪音数字(分贝类型@ f)

1.1dB @ 1GHz
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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技术文档: ON Semiconductor 2SC5415AF-TD-E.

环境信息 :
Material Declaration 2SC5415AF-TD-E
数据表 :
2SC5415A pid_6084614_2sc5415af-td-e-on-semiconductor-datasheet-110755557.pdf

2SC5415AF-TD-E拓展信息

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