FDC6333C
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ON Semiconductor FDC6333C

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型号

FDC6333C

utmel 编号

1807-FDC6333C

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

ON SEMICONDUCTOR - FDC6333C - Dual MOSFET, N and P Channel, 2.5 A, 30 V, 0.095 ohm, 10 V, 1.8 V

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FDC6333C
FDC6333C ON Semiconductor ON SEMICONDUCTOR - FDC6333C - Dual MOSFET, N and P Channel, 2.5 A, 30 V, 0.095 ohm, 10 V, 1.8 V

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FDC6333C详情

ON Semiconductor FDC6333C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

  • 引脚数

    6

  • 质量

    36mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    2.5A 2A

  • Number of Elements

    2

  • Turn Off Delay Time

    11 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • 已出版

    2017

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    95MOhm

  • 最大功率耗散

    960mW

  • 终端形式

    鸥翼

  • 额定电流

    2.5A

  • 通道数量

    2

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    960mW

  • 接通延迟时间

    4.5 ns

  • 功率 - 最大

    700mW

  • 场效应管类型

    N and P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    95m Ω @ 2.5A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    282pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    6.6nC @ 10V

  • 上升时间

    13ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL AND P-CHANNEL

  • 下降时间(典型值)

    13 ns

  • 连续放电电流(ID)

    2.5A

  • 阈值电压

    1.8V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    25V

  • 漏源击穿电压

    -30V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 栅源电压

    1.8 V

  • 高度

    1mm

  • 长度

    3mm

  • 宽度

    1.7mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

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