ON Semiconductor FDD3510H

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.3A 2.8A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

25 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

系列

PowerTrench®

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电阻

80MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

1.3W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G4

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.1W

场效应管类型

N and P-Channel, Common Drain

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

80m Ω @ 4.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

800pF @ 40V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18nC @ 10V

上升时间

3ns

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

5 ns

连续放电电流(ID)

2.8A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.3A

漏源击穿电压

80V

雪崩能量等级（Eas）

37 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅