ON Semiconductor FDMC8200S

工厂交货时间

23 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

包装/外壳

8-PowerWDFN

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

质量

186mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A 8.5A

Turn Off Delay Time

35 ns

Number of Elements

2

已出版

2010

系列

PowerTrench®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

20MOhm

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)

最大功率耗散

1W

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

箱体转运

排水源头

功率 - 最大

700mW 1W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

20m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

660pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 10V

连续放电电流(ID)

18A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

2.3 V

反馈上限-最大值 (Crss)

30 pF

宽度

3mm

长度

3mm

高度

750μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅