ON Semiconductor FDMS3602S

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

质量

90mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A 26A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

31 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

5.6MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

1W

JESD-30代码

R-PDSO-N6

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

箱体转运

排水源头

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.6m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1680pF @ 13V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

27nC @ 10V

上升时间

4.2ns

下降时间（典型值）

3.2 ns

连续放电电流(ID)

26A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

15A

漏源击穿电压

25V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40A

雪崩能量等级（Eas）

50 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

1.8 V

高度

1.05mm

长度

5mm

宽度

6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅