ON Semiconductor FDS6912

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

187mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

18 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

28MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

900mW

终端形式

鸥翼

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

28m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

740pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 5V

上升时间

13ns

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

6A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

2 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅