ON Semiconductor FDS9958-F085

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

230.4mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

27 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

已出版

2017

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

最大功率耗散

900mW

终端形式

鸥翼

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

105m Ω @ 2.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1020pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23nC @ 10V

上升时间

3ns

漏源电压 (Vdss)

60V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

2.9A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.105Ohm

漏源击穿电压

-60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12A

雪崩能量等级（Eas）

54 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant