ON Semiconductor HGT1S3N60A4DS9A

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

供应商器件包装

TO-263AB

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Current-Collector (Ic) (Max)

17A

Test Conditions

390V, 3A, 50Ohm, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

70W

元素配置

Single

功率耗散

70W

输入类型

Standard

功率 - 最大

70W

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

17A

反向恢复时间

19 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

600V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 3A

闸门收费

21nC

集极脉冲电流（Icm）

40A

Td（开/关）@25°C

6ns/73ns

开关能量

37μJ (on), 25μJ (off)

RoHS状态

符合RoHS标准