NGTB05N60R2DT4G
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ON Semiconductor NGTB05N60R2DT4G

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型号

NGTB05N60R2DT4G

utmel 编号

1807-NGTB05N60R2DT4G

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

DPAK

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

ON SEMICONDUCTOR NGTB05N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 16 A, 1.65 V, 56 W, 600 V, TO-252, 3 Pins

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NGTB05N60R2DT4G
NGTB05N60R2DT4G ON Semiconductor ON SEMICONDUCTOR NGTB05N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 16 A, 1.65 V, 56 W, 600 V, TO-252, 3 Pins

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NGTB05N60R2DT4G详情

ON Semiconductor NGTB05N60R2DT4G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    DPAK

  • 引脚数

    3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    600V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.65V

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2017

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    175°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    56W

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 元素配置

    Single

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    600V

  • 最大集电极电流

    16A

  • 反向恢复时间

    70 ns

  • 最大击穿电压

    600V

  • 高度

    2.38mm

  • 长度

    6.73mm

  • 宽度

    6.22mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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