ON Semiconductor NTJD4152PT1G

工厂交货时间

11 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)

表面安装

YES

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

安装类型

表面贴装

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

13.5 ns

Number of Elements

2

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2000

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

215MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-20V

最大功率耗散

272mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-880mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

NTJD4152P

引脚数量

6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

272mW

接通延迟时间

5.8 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

260m Ω @ 880mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

155pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.2nC @ 4.5V

上升时间

6.5ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

6.5 ns

连续放电电流(ID)

880mA

阈值电压

-1.2V

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.88A

漏源击穿电压

-20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

宽度

1.3462mm

长度

2.1844mm

高度

990.6μm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅