ON Semiconductor NTLUD3A260PZTBG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-UFDFN Exposed Pad

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

149 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

500mW

引脚数量

6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

800mW

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

17.4 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

200m Ω @ 2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

300pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.2nC @ 4.5V

上升时间

32.3ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

74 ns

连续放电电流(ID)

1.3A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.7A

漏极-源极导通最大电阻

0.2Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅