NVMFD5483NLWFT1G
NVMFD5483NLWFT1G

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ON Semiconductor NVMFD5483NLWFT1G

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型号

NVMFD5483NLWFT1G

utmel 编号

1807-NVMFD5483NLWFT1G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-PowerTDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH

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NVMFD5483NLWFT1G
NVMFD5483NLWFT1G ON Semiconductor MOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH

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NVMFD5483NLWFT1G详情

ON Semiconductor NVMFD5483NLWFT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)

  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerTDFN

  • 引脚数

    8

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    6.4A

  • Turn Off Delay Time

    37.5 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2014

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    3.1W

  • 引脚数量

    8

  • 通道数量

    2

  • 元素配置

    Dual

  • 接通延迟时间

    6.8 ns

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    36m Ω @ 15A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 250μA

  • 无卤素

    无卤素

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    668pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    23.4nC @ 10V

  • 上升时间

    10.3ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • 下降时间(典型值)

    23.5 ns

  • 连续放电电流(ID)

    24A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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NVMFD5483NLWFT1G拓展信息

FDG6301N
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ON Semiconductor

NDC7001C
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ON Semiconductor

FDS4935BZ
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ON Semiconductor

FDC6303N
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ON Semiconductor

FDC6301N
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ON Semiconductor

FDS8958A
FDS8958A

ON Semiconductor

FDC6333C
FDC6333C

ON Semiconductor

FDS4935A
FDS4935A

ON Semiconductor

FDG8850NZ
FDG8850NZ

ON Semiconductor

FDS6898A
FDS6898A

ON Semiconductor

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