ON Semiconductor PN3563

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92-3

质量

201mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15V

Current-Collector (Ic) (Max)

50mA

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2000

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

通孔

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

15V

最大功率耗散

350mW

额定电流

50mA

频率

1.5GHz

基本部件号

2N3563

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

350mW

功率 - 最大

350mW

增益带宽积

1.5 GHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

15V

最大集电极电流

50mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 8mA 10V

增益

14dB ~ 26dB

电压 - 集射极击穿（最大值）

15V

最高频率

1.5GHz

频率转换

1.5GHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

2V

连续集电极电流

50mA

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅