ROHM Semiconductor ES6U1T2R

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

700mW Ta

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

260m Ω @ 1.3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

290pF @ 6V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.4nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

12V

Vgs（最大值）

±10V

连续放电电流(ID)

1.3A

漏极-源极导通最大电阻

0.26Ohm

DS 击穿电压-最小值

12V

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅