ROHM Semiconductor QS6J11TR

工厂交货时间

20 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

65 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

600mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

*J11

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G8

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

105m Ω @ 2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

770pF @ 6V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.5nC @ 4.5V

上升时间

17ns

漏源电压 (Vdss)

12V

下降时间（典型值）

35 ns

连续放电电流(ID)

2A

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2A

漏极-源极导通最大电阻

0.105Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅